Мульти-продукты Intergrate, полное обслуживание этапов,
Высококачественный контроль, fullfillment требования клиента

Продажа и поддержка
Отправить запрос - Email

Select Language

English
French
German
Italian
Russian
Spanish
Portuguese
Dutch
Greek
Japanese
Korean
Arabic
Hindi
Turkish
Indonesian
Vietnamese
Thai
Bengali
Persian
Polish

Дом
Продукты
О нас
Путешествие фабрики
Проверка качества
Свяжитесь мы
Отправить запрос

Categories: Все категории

Электронный блок Кристл

Электронные диоды и транзисторы

Блок MCU микроконтроллера

Хранение данных флэш-памяти

Соединитель доски PCB

Интегральная схемаа SMD

Модуль цифров электронный

MOSFET наивысшей мощности

СИД оптической электроники

Пассивные электронные блоки

Цепь Fpc гибкая напечатанная

Обслуживание собрания PCB

Электронное табло цифров

Реле силы сигнала

Глубокий переключатель SMD

Инструменты разработчика

Кабельная проводка UL

Датчики электронного блока

собрания кольца выскальзывания

Главная страница Продукция

MOSFET наивысшей мощности

Все продукты

Электронный блок Кристл (67)

Электронные диоды и транзисторы (26)

Блок MCU микроконтроллера (33)

Хранение данных флэш-памяти (20)

Соединитель доски PCB (21)

Интегральная схемаа SMD (159)

Модуль цифров электронный (6)

MOSFET наивысшей мощности (2119)

СИД оптической электроники (21)

Пассивные электронные блоки (21)

Цепь Fpc гибкая напечатанная (6)

Обслуживание собрания PCB (2)

Электронное табло цифров (6)

Реле силы сигнала (12)

Глубокий переключатель SMD (25)

Инструменты разработчика (6)

Кабельная проводка UL (2)

Датчики электронного блока (20)

собрания кольца выскальзывания (13)

Оставьте нам сообщение

SW 1 Ics интегральных схема ITS4200SSJDXUMA1 В 1 ИЗ 6V к 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 наивысшей мощности IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R Mosfet p Ch Si 12V 4.3A 3 IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 наивысшей мощности IRLML2803TRPBF

Трубка Pin TO-247AC Si 75V 350A 3 канала MOSFET n силы IRFP4368PbF Infineon

1 2 3 4 5

MOSFET наивысшей мощности

(2119)

MOSFET FDD10AN06A0 наивысшей мощности MOSFET 60V N-канала PowerTrench®, 50A, 10.5mΩ
контакт

MOSFET 60V ® PowerTrench N-канала MOSFET FDD10AN06A0 наивысшей мощности, 50A, 10.5mΩ [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнечного луча (Гонконга) фокус на поиске полупроводников и электронные блоки продажа и обслуж... Подробнее Лучшая цена

2022-05-30 22:15:57

MOSFET FDC8886 наивысшей мощности MOSFET силы Trench® N-канала, 30 v, 6,5 a, mΩ 23
контакт

MOSFET ® канавы силы N-канала MOSFET FDC8886 наивысшей мощности, 30 v, 6,5 a, mΩ 23 [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнечного луча (Гонконга) фокус на поиске полупроводников и электронные блоки продажа и обслужи... Подробнее Лучшая цена

2022-05-30 22:15:56

MOSFET FDC8878 наивысшей мощности MOSFET силы Trench® N-канала, 30 v, 8,0 a, mΩ 16
контакт

MOSFET ® канавы силы N-канала MOSFET FDC8878 наивысшей мощности, 30 v, 8,0 a, mΩ 16 [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнечного луча (Гонконга) фокус на поиске полупроводников и электронные блоки продажа и обслужи... Подробнее Лучшая цена

2022-05-30 22:15:56

MOSFET FDC86244 наивысшей мощности Защищаемое N-каналом mΩ силы Trench® 150V 2.3A 144 ворот
контакт

MΩ ® 150V 2.3A 144 канавы силы ворот MOSFET FDC86244 наивысшей мощности защищаемое N-каналом [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнечного луча (Гонконга) фокус на поиске полупроводников и электронные блоки продажа ... Подробнее Лучшая цена

2022-05-30 22:15:56

MOSFET FDC8602 наивысшей мощности Двойным ворота защищаемые N-каналом PowerTrench® 100 v, 1,2 a, mΩ 350
контакт

® защищаемое N-каналом ворот MOSFET FDC8602 наивысшей мощности двойным PowerTrench 100 v, 1,2 a, mΩ 350 [Кто мы?] CO. Ltd электроники солнечного луча (Гонконга) фокус на поиске полупроводников и электронные бло... Подробнее Лучшая цена

2022-05-30 22:15:56

Page 15 of 212|< << 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 >> >|

О нас

О нас

Путешествие фабрики

Проверка качества

Интегральная схемаа SMD

Приемопередатчик IC TXRX MCU BLE 5,0 40VQFN RF TI CC2541F256RHAR

Поднос МИКРОСХЕМЫ MCU 8-разрядный AVR RISC 32KB внезапный 2.5V/3.3V/5V 32-Pin TQFP ATMEGA328P-AU

Водители СИД высокой яркости TI TPS92662AQPHPRQ1 отделывают поверхность Pin держателя 48

Хранение данных флэш-памяти

Pin SOIC n T/R бита 8 хранения данных EEPROM I2C 256K флэш-памяти 24LC256T-E/SN

Вспышка Nand МИКРОНА MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F с мобильным MCP шарика LPDDR2 162

Хранение данных Stmicro EEPROM Serial-I2C 1M-Bit флэш-памяти M24M01-RMN6TP

Блок MCU микроконтроллера

Блок MCU 8 сдержанное STM8 3.3V/5V 20-Pin TSSOP T/R микроконтроллера ST STM8S003F3P6TR

Блок MCU 16 сдержанное MSP430 2.5V/3.3V 14-Pin TSSOP T/R микроконтроллера TI MSP430G2211IPW14R

Вспышка коркы M0 RISC 256KB РУКИ блока MCU 32 микроконтроллера ST STM32F030CCT6 сдержанная

Свяжитесь мы

Свяжитесь мы

Спросите цитату

E-Mail

Sitemap

Мобильный сайт

MOSFET наивысшей мощности

SW 1 Ics интегральных схема ITS4200SSJDXUMA1 В 1 ИЗ 6V к 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 наивысшей мощности IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R Mosfet p Ch Si 12V 4.3A 3 IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 наивысшей мощности IRLML2803TRPBF

Трубка Pin TO-247AC Si 75V 350A 3 канала MOSFET n силы IRFP4368PbF Infineon

MOSFET наивысшей мощности

MOSFET FDD10AN06A0 наивысшей мощности MOSFET 60V N-канала PowerTrench<sup>®</sup>, 50A, 10.5mΩ
контакт

MOSFET FDC8886 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 6,5 a, mΩ 23
контакт

MOSFET FDC8878 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 8,0 a, mΩ 16
контакт

MOSFET FDC86244 наивысшей мощности Защищаемое N-каналом mΩ силы Trench<sup>®</sup> 150V 2.3A 144 ворот
контакт

MOSFET FDC8602 наивысшей мощности Двойным ворота защищаемые N-каналом PowerTrench<sup>®</sup> 100 v, 1,2 a, mΩ 350
контакт

MOSFET FDC8601 наивысшей мощности N-канал защищал MOSFET силы Trench<sup>®</sup> ворот, 100 v, 2,7 a, mΩ 109
контакт

MOSFET FDC855N наивысшей мощности N-канал, MOSFET PowerTrench<sup>®</sup>, уровень логики, 30V, 6.1A, 27mΩ
контакт

MOSFET FDC658P наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала
контакт

MOSFET FDC658AP наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала
контакт

MOSFET FDC6561AN наивысшей мощности Двойной уровень 30V 2.5A 95mΩ логики N-канала
контакт

MOSFET наивысшей мощности

SW 1 Ics интегральных схема ITS4200SSJDXUMA1 В 1 ИЗ 6V к 52V 1.2A 8-Pin DSO T/R

Pin SOT-23 T/R MOSFET P-CH Si 20V 3.7A 3 наивысшей мощности IRLML6402TRPBF

Pin SOT-23 T/R Mosfet p Ch Si 12V 4.3A 3 IRLML6401TRPBF Infineon

Pin SOT-23 T/R MOSFET N-CH Si 30V 1.2A 3 наивысшей мощности IRLML2803TRPBF

Трубка Pin TO-247AC Si 75V 350A 3 канала MOSFET n силы IRFP4368PbF Infineon

MOSFET наивысшей мощности

MOSFET FDD10AN06A0 наивысшей мощности MOSFET 60V N-канала PowerTrench<sup>®</sup>, 50A, 10.5mΩ контакт

MOSFET FDC8886 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 6,5 a, mΩ 23 контакт

MOSFET FDC8878 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 8,0 a, mΩ 16 контакт

MOSFET FDC86244 наивысшей мощности Защищаемое N-каналом mΩ силы Trench<sup>®</sup> 150V 2.3A 144 ворот контакт

MOSFET FDC8602 наивысшей мощности Двойным ворота защищаемые N-каналом PowerTrench<sup>®</sup> 100 v, 1,2 a, mΩ 350 контакт

MOSFET FDC8601 наивысшей мощности N-канал защищал MOSFET силы Trench<sup>®</sup> ворот, 100 v, 2,7 a, mΩ 109 контакт

MOSFET FDC855N наивысшей мощности N-канал, MOSFET PowerTrench<sup>®</sup>, уровень логики, 30V, 6.1A, 27mΩ контакт

MOSFET FDC658P наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала контакт

MOSFET FDC658AP наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала контакт

MOSFET FDC6561AN наивысшей мощности Двойной уровень 30V 2.5A 95mΩ логики N-канала контакт

MOSFET FDD10AN06A0 наивысшей мощности MOSFET 60V N-канала PowerTrench<sup>®</sup>, 50A, 10.5mΩ
контакт

MOSFET FDC8886 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 6,5 a, mΩ 23
контакт

MOSFET FDC8878 наивысшей мощности MOSFET силы Trench<sup>®</sup> N-канала, 30 v, 8,0 a, mΩ 16
контакт

MOSFET FDC86244 наивысшей мощности Защищаемое N-каналом mΩ силы Trench<sup>®</sup> 150V 2.3A 144 ворот
контакт

MOSFET FDC8602 наивысшей мощности Двойным ворота защищаемые N-каналом PowerTrench<sup>®</sup> 100 v, 1,2 a, mΩ 350
контакт

MOSFET FDC8601 наивысшей мощности N-канал защищал MOSFET силы Trench<sup>®</sup> ворот, 100 v, 2,7 a, mΩ 109
контакт

MOSFET FDC855N наивысшей мощности N-канал, MOSFET PowerTrench<sup>®</sup>, уровень логики, 30V, 6.1A, 27mΩ
контакт

MOSFET FDC658P наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала
контакт

MOSFET FDC658AP наивысшей мощности Одиночный уровень 30V 4A 50mΩ логики P-канала
контакт

MOSFET FDC6561AN наивысшей мощности Двойной уровень 30V 2.5A 95mΩ логики N-канала
контакт