Отправить сообщение

Мульти-продукты Intergrate, полное обслуживание этапов,
Высококачественный контроль, fullfillment требования клиента

 

Дом
Продукты
О нас
Путешествие фабрики
Проверка качества
Свяжитесь мы
Отправить запрос

Pin SOT-23 T/R Trans n CH 50V 0.2A 3 Mosfet BSS138LT1G Onsemi

BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R
BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pin SOT-23 T/R

Большие изображения :  Pin SOT-23 T/R Trans n CH 50V 0.2A 3 Mosfet BSS138LT1G Onsemi Лучшая цена

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: КИТАЙ
Фирменное наименование: ONSEMI
Номер модели: BSS138LT1G
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Qty пакета
Цена: contact sales for updated price
Упаковывая детали: лента и вьюрок
Время доставки: 2 недели
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 1000+
Подробное описание продукта
Выделить:

Mosfet 50V 0.2A Onsemi

,

Trans n CH Mosfet Onsemi

,

Pin BSS138LT1G 3

MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R Trans BSS138LT1G ONsemi

НА MOSFET полупроводника транзистор MOSFET канала n который работает в режиме повышения. Своя максимальная диссипация силы 225 mW. Максимальное напряжение тока источника стока продукта 50 v и напряжение тока источника ворот ±20 v. Этот MOSFET имеет температурную амплитуду рабочей температуры -55°C к 150°C.

Особенности и преимущества:
• Напряжение тока низкого порога (VGS (th): 0,85 V-1.5 v) делает его идеальным для применений низшего напряжения
• Миниатюрный поверхностный пакет держателя SOT-23 сохраняет космос доски
• Приставка BVSS для автомобильных и других применений требуя уникальных требований к места и смены операции; AEC-Q101 квалифицировало и PPAP способное
• Эти приборы Pb свободны от, галоид Free/BFR свободные и RoHS уступчивое

Применение:
• Конвертеры DC-DC
• Управление силы в портативных и использующих энергию батаре продуктах как компьютеры
• Принтеры
• Карты PCMCIA
• Клетчатые и бесшнуровые телефоны.

Технические данные продукта

ЕС RoHS Уступчивый
ECCN (США) EAR99
Состояние части Активный
HTS 8541.21.00.95
Автомобильный Никакой
PPAP Никакой
Категория продукта MOSFET силы
Конфигурация Одиночный
Режим канала Повышение
Тип канала N
Количество элементов в обломок 1
Максимальное напряжение тока источника стока (v) 50
Максимальное напряжение тока источника ворот (v) ±20
Максимальное напряжение тока порога ворот (v) 1,5
Работая температура соединения (°C) -55 до 150
Максимальное непрерывное течение стока (a) 0,2
Максимальное течение утечки источника ворот (nA) 100
Максимальное IDSS (uA) 0,5
Максимальное сопротивление источника стока (MOhm) 3500@5V
Типичная входная емкость @ Vds (pF) 40@25V
Типичная обратная емкость @ Vds передачи (pF) 3,5
Минимальное напряжение тока порога ворот (v) 0,85
Типичная емкость выхода (pF) 12
Максимальная диссипация силы (mW) 225
Типичное время задержки поворота- (ns) 20 (Макс)
Типичное время задержки включения (ns) 20 (Макс)
Минимальная рабочая температура (°C) -55
Максимальная рабочая температура (°C) 150
Упаковка Лента и вьюрок
Максимальное положительное напряжение тока источника ворот (v) 20
Пульсированные максимальные стекают течение @ TC=25°C (a) 0,8
Типичное напряжение тока плато ворот (v) 1,9
Отсчет Pin 3
Имя стандартного пакета SOT
Пакет поставщика SOT-23
Установка Поверхностный держатель
Высота пакета 0,94
Длина пакета 2,9
Ширина пакета 1,3
PCB изменил 3
Форма руководства Крыло чайки
Усильте электронные сигналы и переключите между ими с помощью НА MOSFET силы BSS138LT1G полупроводника. Своя максимальная диссипация силы 225 mW. Для обеспечения безопасной доставки и для того чтобы включить быструю установку этого компонента после доставки, она будет упакована в ленте и вьюрке упаковывая во время пересылки. Этот транзистор MOSFET имеет температурную амплитуду рабочей температуры °C -55 к 150 °C. Этот прибор использует технологию tmos. Этот транзистор MOSFET канала n работает в режиме повышения.

Контактная информация
Sunbeam Electronics (Hong Kong) Limited

Контактное лицо: peter

Телефон: +8613211027073

Оставьте вашу заявку